小瀬村 大亮 | 明治大学理工学部
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概要
関連著者
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小瀬村 大亮
明治大学理工学部
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小椋 厚志
明治大学理工学部
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小椋 厚志
明治大学理工学研究科
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小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子生命学科
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小瀬村 大亮
明治大学理工学部:日本学術振興会
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武井 宗久
明治大学理工学部
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山口 拓也
島根医科大学 第三内科
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渡邉 孝信
早稲田大学工学部
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野口 隆
琉球大学工学部
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渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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永田 晃基
明治大学理工学部
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富田 基裕
明治大学理工学部
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橋口 裕樹
明治大学理工学部
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山口 拓也
明治大学理工学部
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杉浦 裕樹
早稲田大学理工学術院
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掛村 康人
明治大学理工学部
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清家 綾
早稲田大学理工学術院
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丹下 智之
早稲田大学理工学術院
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佐野 一拓
早稲田大学理工学術院
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土田 育新
早稲田大学理工学術院
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太田 洋道
早稲田大学理工学術院
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大泊 巌
早稲田大学
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山口 拓也
島根大学医学部附属病院
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渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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廣沢 一郎
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)
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広沢 一郎
NEC
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広沢 一郎
高輝度光科学研究センター
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広沢 一郎
Nec分析評価センター
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広沢 一郎
Jasri
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廣沢 一郎
高輝度光科学研究センター(spring-8)
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廣沢 一郎
(財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i
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廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学研究センター
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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大泊 巌
早大理工
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
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広沢 一郎
Necデバイス評価技術研究所
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
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服部 真季
明治大学理工学部
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赤松 弘彬
明治大学理工学部
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水上 雄輝
明治大学理工学部
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小金澤 智之
財団法人高輝度光科学センター
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廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学センター
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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大泊 巌
Faculty Of Science And Engineering Waseda University
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大泊 巌
早大
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大泊 巌
早大・理工
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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橋口 裕樹
学振
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小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子工学科
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端LSIにおけるチャネル歪評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント