歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-06-02
著者
-
渡邉 孝信
早稲田大学工学部
-
渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院
-
大泊 巌
早稲田大学理工学術院
-
小瀬村 大亮
明治大学理工学部
-
杉浦 裕樹
早稲田大学理工学術院
-
小椋 厚志
明治大学理工学部
-
清家 綾
早稲田大学理工学術院
-
丹下 智之
早稲田大学理工学術院
-
佐野 一拓
早稲田大学理工学術院
-
土田 育新
早稲田大学理工学術院
-
太田 洋道
早稲田大学理工学術院
-
大泊 巌
早稲田大学
-
渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
-
小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子工学科
-
小椋 厚志
明治大学理工学研究科
関連論文
- 分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング : SiO_2/Si界面との違い(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
- 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
- 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
- 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
- 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端LSIにおけるチャネル歪評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 2908 Luciferase-Si基板間相互作用の分子動力学シミュレーション(OS-29B,OS-29 生体高分子の動力学シミュレーション)
- 生体分子-半導体表面間相互作用の分子動力学シミュレーション(S24-1 バイオ・ナノ流動ダイナミクス(1),S24 バイオ・ナノ流動ダイナミクス)
- Hybridization of Deoxyribonucleic Acid and Immobilization of Green Fluorescent Protein on Nanostructured Organosilane Templates
- Micropatterning Oligonucleotides on Single-Crystal Diamond Surface by Photolithography
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- Electron Beam Lithography on Organosilane Self-Assembled Monolayer Resist
- 28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
- 29a-B-2 超伝導相転移の前駆状態を形成する高温磁気相転移
- Probability of Atomic or Molecular Oxygen Species in Silicon Silicon Dioxide
- Diffusion of Molecular and Atomic Oxygen in Silicon Oxide
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-Terminated Si(111) Surface in Solution
- Nonscalability of Alpha-Particle-Induced Charge Collection Area
- Analysis of Interactions between Green Fluorescent Protein and Silicon Substrates Using Molecular Dynamics Simulations
- Large-Scale Atomistic Modeling of Thermally Grown SiO_2 on Si(111) Substrate
- Effects of Thermal History on Residual Order of Thermally Grown Silicon Dioxide
- Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
- 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
- Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
- Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
- これからの産学協働のあり方
- シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
- 学際融合研究と人材育成
- ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
- 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
- ナノテクノロジーと化学
- ナノテクノロジーに日本再生を託そう
- 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
- Si結晶表面のナノスケール改質のためのシミュレーション--初期酸化およびイオン注入素過程の研究
- Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
- Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion lrradiation
- Hihg-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO_2 Mask
- New Process for Si Nanopyramid Array(NPA)Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 全金属製極高真空クライオポンプの動作特性
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
- 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
- 「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」特別推進研究(平成五年〜八年度)(科学研究費補助金)
- 大学における研究室運営の一例(大学における実験系の研究室の活動について)
- シングルイオン注入技術
- 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
- 金属シリサイドの形成技術と評価
- 高濃度Ar+イオン注入による “新しい” ESR中心について
- 711 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発(OS7-3 非破壊評価と構造モニタリング)
- 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- ナノテクノロジーと化学(ヘッドライン:化学教育講習会-今日と明日を結ぶ化学)
- UV-ラマン分光法によるSiの高空間分解能ひずみ評価
- シリコン材料の先端科学技術国際会議
- シングルイオン照射とその応用
- シミュレーションと洞察
- 界面の構造と欠陥
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
- 構造ヘルスモニタリングのための５自由度層間変位センサの開発
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価