バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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SiO_2/Si構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価には、多くの場合、容量-電圧法(C-V)が用いられてきた。しかし、昨今の微細化により、その安定性が懸念されている。そこで我々は、バイアス印加光電子分光法(BA-HAXPES)を用いてSiO_2/Siにおける界面準位の評価を行った。その結果、Si表面の界面準位が光電子脱出の際に、強いトラップサイトとして作用することが明らかになった。また、界面準位の導出から高周波C-V法と良い一致を示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-10
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