微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-18
著者
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
永田 晃基
明治大学理工学部
-
山口 拓也
明治大学理工学部
-
小金澤 智之
財団法人高輝度光科学センター
-
廣澤 一郎
財団法人高輝度光科学センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
-
小椋 厚志
明治大学理工学研究科
関連論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 表面平滑低損失樹脂を用いた高速信号配線
- n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ポリシー・マネジメントの国際比較
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 極薄ゲート酸化膜の有機物汚染が与える影響
- 真空装置内での有機物汚染挙動
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
- 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- 半導体・平板ディスプレイとそれらの製造設備用樹脂材料の分解抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 電気透析法を用いた使用済み現像液の再生・再利用技術
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
- 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル酸化による Poly-Si TFTの高性能化に関する研究
- ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果
- マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
- シリコン(110)面の平坦化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Si-SiO_2系の形成・構造・物性
- LSIにかかわる技術の変遷と課題
- デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術
- 八味地黄丸が有効であった多系統萎縮症の一例
- 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減(プロセス科学と新プロセス技術)
- SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術)
- 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 臨床報告 低血圧症を伴う慢性心不全の水分管理に五苓散が有効であった一症例
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO薄膜中の結晶相の評価 (シリコン材料・デバイス)
- 臨床報告 幽門狭窄症に伴う反復性の嘔吐症に対し五苓散が有効であった一症例
- PS-138-10 当院における腹腔鏡下大腸切除術の低侵襲性に対する検討(PS-138 大腸 低侵襲,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- 画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析(固体撮像技術および一般〜IEDM, SPIE EI, ISSCC特集〜)
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス(プロセス科学と新プロセス技術)
- SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- ランダムテレグラフノイズ時定数の動作条件依存性の統計的解析(固体撮像技術および一般)
- MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析(プロセス科学と新プロセス技術)
- バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価