32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)

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概要

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歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法は必ずしも確立していない。本研究では、まずラマン分光測定のための配線・ゲート電極の除去工程を開発し、市販32nm世代MOSFETのチャネルに印加された歪をラマン分光法およびNBD法により評価した。pMOSFETでは-3.75GPaと非常に大きな応力がチャネルに印加されていることが分かった。一方でnMOSFETでは、0.85GPaとpMOSFETに比べ小さな応力が印加されている。また、NBD測定からpMOSFETではチャネル中央に比べチャネル端で大きな歪が観測され、32nmにおいてもエッジ効果が存在することを明らかにした。nMOSFETでは一様な歪がチャネルに印加されていることが分かった。
2011-10-13

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