液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)

概要

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ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評価に多用されてきた。しかしながら、従来のラマン分光法における応力評価は、定性的な評価であると言わざるを得ない。つまり、測定で得られたSiのラマン波数シフトから応力に変換する際、なんらかの仮定が入っている。実際の複雑な応力場を評価してこそ、デバイス特性と比較し得る意味のある評価手法であると言える。そこで本研究では、従来のラマン分光法では不可能な、複雑な応力場の評価を達成することを目的とする。高NAの液浸ラマン分光法を用いて、Strained-Si on insulator(SSOI)のtransverse optical(TO)フォノンモード(禁制モード)を励起した。新たに励起したTOモードを利用して、SSOIのtransmission electron microscopy試料における、異方性2軸応力を評価した。さらに、応力緩和率を定量的に評価した。
2010-10-14