歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs(n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-nwFETs)の両タイプにおいて、トランスコンダクタンス(g_m)の向上を達成した。g_mはp-nwFETsで1.5倍、n-nwFETsで3.0倍向上した。またトランスコンダクタンスのチャネル方向依存性を評価した結果、p-nwFETsでは、<110>方向にチャネルを作成したデバイスのg_mは、<100>のデバイスと比べ1.29倍向上し、n-nwFETsでは、<100>方向にチャネルを作成したデバイスのg_mが<110>と比べ、1.25倍向上した。更に、p-nwFETsに関してドレイン電圧(V_<ds>)依存性を評価した結果、V_<ds>=1Vにおいて更なるg_m向上を確認した。これはホールのドリフト速度の異方性に起因すると考えられる。

• 2008-06-02

著者

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部

• 杉浦 裕樹

  早稲田大学理工学術院

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 清家 綾

  早稲田大学理工学術院

• 丹下 智之

  早稲田大学理工学術院

• 佐野 一拓

  早稲田大学理工学術院

• 土田 育新

  早稲田大学理工学術院

• 太田 洋道

  早稲田大学理工学術院

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部:日本学術振興会

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• 大泊 巌

  早大

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早大・理工

• 渡邉 孝信

  早稲田大学 理工学術院

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

関連論文

• 分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング : SiO_2/Si界面との違い(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
• 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
• 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
• 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
• 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 先端LSIにおけるチャネル歪評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 2908 Luciferase-Si基板間相互作用の分子動力学シミュレーション(OS-29B,OS-29 生体高分子の動力学シミュレーション)
• 生体分子-半導体表面間相互作用の分子動力学シミュレーション(S24-1 バイオ・ナノ流動ダイナミクス(1),S24 バイオ・ナノ流動ダイナミクス)
• Hybridization of Deoxyribonucleic Acid and Immobilization of Green Fluorescent Protein on Nanostructured Organosilane Templates
• Micropatterning Oligonucleotides on Single-Crystal Diamond Surface by Photolithography
• 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
• Electron Beam Lithography on Organosilane Self-Assembled Monolayer Resist
• Effect of Deuterium Anneal on SiO_2/Si(100) Interface Traps and Electron Spin Resonance Signals of Ultrathin SiO_2 Films
• High-Resolution Electron Microscope Study of Silicon on Insulator Structure Grown by Lateral Solid Phase Epitaxy
• Structural Study of PtSi/(111)Si Interface with High-Resolution Electron Microscopy
• 5a-T-3 酸素吸着モデルで考えたSi(111)7x7超構造のTED解析
• 28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
• 29a-B-2 超伝導相転移の前駆状態を形成する高温磁気相転移
• Probability of Atomic or Molecular Oxygen Species in Silicon Silicon Dioxide
• Diffusion of Molecular and Atomic Oxygen in Silicon Oxide
• UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• Fabrication of Adenosine Triphosphate-Molecule Recognition Chip by Means of Bioluminous Enzyme Luciferase : Cross-Disciplinary Areas
• Novel Process for High-Density Buried Nanopyramid Array Fabrication by Means of Dopant Ion Implantation and Wet Etching
• Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-Terminated Si(111) Surface in Solution
• Nonscalability of Alpha-Particle-Induced Charge Collection Area
• Reverse-Mode Single Ion Beam Induced Charge (R-mode SIBIC) Imaging for the Test of Total Dose Effects in n-ch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
• {111} Facet Formation during Lateral Solid-Phase Epitaxy of Silicon
• Analysis of Interactions between Green Fluorescent Protein and Silicon Substrates Using Molecular Dynamics Simulations
• Large-Scale Atomistic Modeling of Thermally Grown SiO_2 on Si(111) Substrate
• Effects of Thermal History on Residual Order of Thermally Grown Silicon Dioxide
• Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
• 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
• Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
• Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
• High-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (STM) Observation of Metastable Structures on Quenched Si (111) Surfaces
• これからの産学協働のあり方
• シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
• 学際融合研究と人材育成
• ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
• 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
• ナノテクノロジーと化学
• ナノテクノロジーに日本再生を託そう
• 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
• Si結晶表面のナノスケール改質のためのシミュレーション--初期酸化およびイオン注入素過程の研究
• Influence of Secondary Electron Detection Efficiency on Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation
• これからの研究者の責任
• 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
• Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
• Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion lrradiation
• Improvement of Focused Ion-Beam Optics in Single-Ion Implantation for Higher Aiming Precision of One-by-One Doping of Impurity Atoms into Nano-Scale Semiconductor Devices : Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology
• Hihg-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO_2 Mask
• New Process for Si Nanopyramid Array(NPA)Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching
• Reduction of Fluctuation in Semiconductor Conductivity by One-by-One Ion Implantation of Dopant Atoms
• Single-Event Upset Test of Static Random Access Memory Using Single-Ion Microprobe
• UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• Site Dependence of Soft Errors Induced by Single-Ion Hitting in 64 kbit Static Random Access Memory (SRAM)
• 13a-PS-2 Si(111)1x1-7x7表面構造相転移に及ぼす酸素の影響
• Si 表面酸素の除去
• 全金属製極高真空クライオポンプの動作特性
• 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
• シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
• 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発
• シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
• 「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」特別推進研究(平成五年〜八年度)(科学研究費補助金)
• 大学における研究室運営の一例(大学における実験系の研究室の活動について)
• シングルイオン注入技術
• サイエンスとテクノロジーの協同のための一提案
• 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
• 金属シリサイドの形成技術と評価
• 高濃度Ar+イオン注入による “新しい” ESR中心について
• 711 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発(OS7-3 非破壊評価と構造モニタリング)
• 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• ナノテクノロジーと化学(ヘッドライン:化学教育講習会-今日と明日を結ぶ化学)
• UV-ラマン分光法によるSiの高空間分解能ひずみ評価
• シリコン材料の先端科学技術国際会議
• シングルイオン照射とその応用
• シミュレーションと洞察
• 界面の構造と欠陥
• 金属シリサイド-シリコン界面の微視的構造と電気的性質
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
• 構造ヘルスモニタリングのための５自由度層間変位センサの開発
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
• 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 152 構造ヘルスモニタリングのための5自由度層間変位センサの分解能に関する検討
• 152 構造ヘルスモニタリングのための5自由度層間変位センサの分解能に関する検討(構造物の損傷検知,OS-11 システムのモニタリングと診断,総合テーマ:「部門創設25周年、新たなる躍動」)
• HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク