Single-Event Upset Test of Static Random Access Memory Using Single-Ion Microprobe

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1992-12-15

著者

• OHDOMARI Iwao

  School of Science and Engineering, Waseda University

• 後藤 誠

  北陸職業能力開発大学校

• 大泊 巌

  早大理工

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Goto M

  Matsushita Electric Industrial Co.

• MATSUKAWA Takashi

  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• GOTO Masashi

  Matsushita Electric Industrial Co.

• MATSUKAWA Takashi

  Electrotechnical Laboratory

• HARA Ken-ichi

  School of Science and Engineering, Waseda University

• MATSUKAWA Takashi

  School of Science and Engineering, Waseda University

• KOH Meishoku

  School of Science and Engineering, Waseda University

• GOTO Makoto

  School of Science and Engineering, Waseda University

• NORITAKE Katsunori

  School of Science and Engineering, Waseda University

• Matsukawa Takashi

  山梨大学 医学部麻酔学

• Hara Ken-ichi

  School Of Science And Engineering Waseda University

• Matsukawa T

  National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Koh Meishoku

  School Of Science And Engineering Waseda University

• Noritake Katsunori

  School Of Science And Engineering Waseda University

関連論文

• A Novel Process for Fabrication of Gated Silicon Field Emitter Array Taking Advantage of Ion Bombardment Retarded Etching
• Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
• オゾンを用いたコンニャク畑の土壌消毒法の予備的研究
• 17pRA-7 二枚の平行板陰極を有するグロー放電の電流-電圧特性と発光形態
• Hollow 陰極放電の発光モードの物理的機構に関する研究
• 23pB-10 アルゴンアフタグローおける電磁波の負の吸収の観測(II)
• モンテカルロシミュレーションによるRF放電のα領域とγ領域の放電維持機構の解析
• 24pYF-3 アルゴンアフタグローおける電磁波の負の吸収の観測
• モンテカルロ・シミュレーションによるホロー陰極放電の機構解析
• 25a-F-4 低電子密度における陽光柱理論の実験的検証(II)
• 平板ホローカソードを用いた直流放電の基礎特性
• アフタグロー法を用いたアルゴン電離気体中の電子の実効拡散係数の測定
• 31p-YL-1 低電子密度における陽光柱理論の実験的検証
• アフタグロー法を用いた両極性拡散から自由拡散への移行の研究
• アフタグロー法を用いた拡散の電子密度依存の検証
• アフタグロー法を用いた拡散の電子密度依存の検証(II)
• 2p-A-7 同軸円筒電極プラズマの特性(I)
• 29a-T-10 Ar高周波放電における探針測定
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
• 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
• 磁気混合流体を用いた平面研磨加工面に及ぼす磁場の影響 ([日本実験力学会]2009年度年次講演会)
• 磁気機能性流体による管内面研磨に対する流体力学的考察
• 磁気機能性流体による細管内面研磨の提案と技術的検討
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
• 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
• 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
• 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
• Measurement of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4/H_2 Discharge Plasma
• Measurements of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4/O_2 Discharge Plasma ( Plasma Processing)
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 2908 Luciferase-Si基板間相互作用の分子動力学シミュレーション(OS-29B,OS-29 生体高分子の動力学シミュレーション)
• 生体分子-半導体表面間相互作用の分子動力学シミュレーション(S24-1 バイオ・ナノ流動ダイナミクス(1),S24 バイオ・ナノ流動ダイナミクス)
• Hybridization of Deoxyribonucleic Acid and Immobilization of Green Fluorescent Protein on Nanostructured Organosilane Templates
• 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
• Electron Beam Lithography on Organosilane Self-Assembled Monolayer Resist
• 磁気混合流体を用いた細管内面の新しい研磨法について (日本実験力学会2004年度年次講演会) -- (実験力学分野全般(1))
• Effect of Deuterium Anneal on SiO_2/Si(100) Interface Traps and Electron Spin Resonance Signals of Ultrathin SiO_2 Films
• High-Resolution Electron Microscope Study of Silicon on Insulator Structure Grown by Lateral Solid Phase Epitaxy
• Structural Study of PtSi/(111)Si Interface with High-Resolution Electron Microscopy
• 5a-T-3 酸素吸着モデルで考えたSi(111)7x7超構造のTED解析
• 28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
• 29a-B-2 超伝導相転移の前駆状態を形成する高温磁気相転移
• Probability of Atomic or Molecular Oxygen Species in Silicon Silicon Dioxide
• Diffusion of Molecular and Atomic Oxygen in Silicon Oxide
• Fabrication of Adenosine Triphosphate-Molecule Recognition Chip by Means of Bioluminous Enzyme Luciferase : Cross-Disciplinary Areas
• Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-Terminated Si(111) Surface in Solution
• Nonscalability of Alpha-Particle-Induced Charge Collection Area
• Reverse-Mode Single Ion Beam Induced Charge (R-mode SIBIC) Imaging for the Test of Total Dose Effects in n-ch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
• {111} Facet Formation during Lateral Solid-Phase Epitaxy of Silicon
• Analysis of Interactions between Green Fluorescent Protein and Silicon Substrates Using Molecular Dynamics Simulations
• Large-Scale Atomistic Modeling of Thermally Grown SiO_2 on Si(111) Substrate
• Effects of Thermal History on Residual Order of Thermally Grown Silicon Dioxide
• Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
• Fabrication of ultrathin Si Channel Wall For Vertical Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (DG MOSFET) by Using Ion-Bombardment-Retarded Etching (IBRE)
• 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
• Impact of Structural Strained Layer near SiO_2/Si Interface on Activation Energy of Time-Dependent Dielectric Breakdown
• Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
• Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
• High-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (STM) Observation of Metastable Structures on Quenched Si (111) Surfaces
• これからの産学協働のあり方
• シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
• 学際融合研究と人材育成
• ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
• 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
• ナノテクノロジーと化学
• ナノテクノロジーに日本再生を託そう
• 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
• Si結晶表面のナノスケール改質のためのシミュレーション--初期酸化およびイオン注入素過程の研究
• これからの研究者の責任
• 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
• Lower-Temperature Growth of Hydrogenated Amorphous Silicon Films from Inductively Coupled Silane Plasma
• Simple Direct Monitoring of SiH_3 Radical and Particulates in a Silane Plasma with Ultraviolet Transmission Spectroscopy
• Cross Section Measurements for Electron-Impact Dissociation of CHF_3 into Neutral and Ionic Radicals
• Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
• Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion lrradiation
• Hihg-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO_2 Mask
• New Process for Si Nanopyramid Array(NPA)Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching
• Single-Event Upset Test of Static Random Access Memory Using Single-Ion Microprobe
• The Layered Composite Crystal Structure of the Ternary Sulfied, (SnS)_TaS_2 "SnTaS_3"
• Thermal Resistance and Electrornic Characteristics for High Electron Mobility Transistors Grown on Si and GaAs Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
• Measurements of Diffusion Coefficient of CF_2 Radical in DC Pulsed CF_4 Discharge Plasma
• The Layered Composite Crystal Structure of the Ternary Sulfide, (BiS)_TaS_2 "BiTaS_3"
• Site Dependence of Soft Errors Induced by Single-Ion Hitting in 64 kbit Static Random Access Memory (SRAM)
• Low Temperature Synthesis of Extremely Dense and Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes
• Si Island Formation on Domain Boundaries Induced by Ar Ion Irradiation on High-Temperature Si(111)-7 × 7 Dimer-Adatom-Stacking Fault Surfaces
• 13a-PS-2 Si(111)1x1-7x7表面構造相転移に及ぼす酸素の影響
• Anneal Behavior of Aluminum-Implanted Germanium
• Interface Reaction of SiO_2 and GaAs during High-Temperature Heat-Treatments
• Analysis of Atomic-Scale Structure of Microtwins in L-SPE Si by Modeling
• Solid State Reaction of Mo on Cubic and Hexagonal SiC
• Carrier Generation in Germanium Implanted with Aluminum at Room Temperature
• Reduction of Plasma Damage in Reactive Ion Etching by Means of Suppressing Self-Bias ( Plasma Processing)
• Monte Carlo Simulation of Normal and Abnormal Glow Discharge Plasmas Using the Limited Weight Probability Method
• Unique Point on Langmuir Probe Characteristics under Influence of Potential Fluctuations
• Monte Carlo Simulation of RF Plasmas and Trial Investigation of Similarity Rule
• 2重構造タ-ゲットによるAlスパッタ膜のステップカバレッジ(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
• Particle Simulation Study of Transition of Spatial Structure in a Plane-Parallel Hollow Cathode Discharge
• Monte Carlo Simulation of Discharge Plasmas Using Fine Subslabs

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク