Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1997-11-15

著者

• OHDOMARI Iwao

  School of Science and Engineering, Waseda University

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• Yokoyama Koji

  School Of Science And Engineering Waseda University

• KOYAMA Masato

  School of Science and Engineering, Waseda University

• CHEONG Chon-wa

  School of Science and Engineering, Waseda University

• Yokoyama K

  Waseda Univ. Tokyo Jpn

• Koyama M

  Advanced Lsi Technology Laboratory Toshiba Corporation

• Cheong Chon-wa

  School Of Science And Engineering Waseda University

• 大泊 巌

  早大

• 大泊 巌

  早大・理工

• Yokoyama Koji

  School Of Agriculture Meiji University

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