シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
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概要
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ウェハースケールでのナノ構造作製のためには, 表面の形状および汚染を原子レベルでコントロールする必要がある. 我々はいくつかの金属を含む電解液から, ウエット処理によって良く規定されたSi(111)表面上への選択的な析出を観察した. 銅が溶解している電解液に, シリコン表面を渇けた場合, 銅はステップだけに析出し, ニッケルおよび鉄の場合, 析出物は観察されなかった. 金属種による析出の有無に関しては, 酸化還元電位によって説明することができる. 現在, ステップエッジへの銅の析出を原子レベルで観察するために電気化学STMを準備している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-15
著者
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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大泊 巌
早大理工
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
-
原 謙一
早稲田大学理工学部
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大泊 巌
早大
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大泊 巌
早稲田大学
-
大泊 巌
早大・理工
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