28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
-
大坂 敏明
早大材研:早大理工
-
大泊 巌
早大理工
-
大泊 巌
早稲田大学理工学術院
-
Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
-
Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
-
津久井 宏侑
株式会社ツルヤ工場
-
津久井 克幸
株式会社ツルヤ工場
-
津久井 宏侑
ツルヤ工場
-
津久井 克幸
ツルヤ工場
-
矢田 雅則
金材研
-
大泊 巌
早大材研
-
八木 信昭
ダイキン工業機械研
-
矢田 雅規
金材研
-
津久井 克幸
ツルヤ工場:早大材研
-
大泊 巌
早大
-
大泊 巌
早大・理工
関連論文
- Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
- 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
- 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
- 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
- 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
- 309 裏波溶接用塗布式フラックスに関する研究
- 423 SCM440とSUS304の継手部における炭素移行について
- 459 WWW対応の溶接データベースシステム開発(4) : ニッケル合金ワイヤを用いた異材溶接事例
- 451 溶接データベースシステムの開発(3) : 複式アーク溶接の特性評価と加工事例データベース化
- 19Cr-9Ni ステンレス鋼溶着金属中の酸化介在物について
- 軟鋼溶着金属中の酸化介在物について
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 20aPS-51 InSb{111} A, B-(2×2) 表面上での Au 蒸着素過程の直接観察
- 2908 Luciferase-Si基板間相互作用の分子動力学シミュレーション(OS-29B,OS-29 生体高分子の動力学シミュレーション)
- 生体分子-半導体表面間相互作用の分子動力学シミュレーション(S24-1 バイオ・ナノ流動ダイナミクス(1),S24 バイオ・ナノ流動ダイナミクス)
- Hybridization of Deoxyribonucleic Acid and Immobilization of Green Fluorescent Protein on Nanostructured Organosilane Templates
- Micropatterning Oligonucleotides on Single-Crystal Diamond Surface by Photolithography
- CeF_3 沈殿分離-炎光分析法による低水素系溶接棒被覆剤ならびに同原料中の F の間接定量
- CaF_2 沈殿分離-原子吸光分析による低水素用溶接棒被覆剤ならびに同原料中の F の間接定量
- 原子吸光分析による軟鋼用溶接棒被覆剤中の各成分の定量
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- Electron Beam Lithography on Organosilane Self-Assembled Monolayer Resist
- Effect of Deuterium Anneal on SiO_2/Si(100) Interface Traps and Electron Spin Resonance Signals of Ultrathin SiO_2 Films
- High-Resolution Electron Microscope Study of Silicon on Insulator Structure Grown by Lateral Solid Phase Epitaxy
- Structural Study of PtSi/(111)Si Interface with High-Resolution Electron Microscopy
- 5a-T-3 酸素吸着モデルで考えたSi(111)7x7超構造のTED解析
- HT-80 鋼のサブマージドアーク溶接に関する研究
- 27aXA-7 Cooper Pairsの熱的安定化機構(高温超伝導理論・低次元系理論)(領域8)
- 28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
- 29a-B-2 超伝導相転移の前駆状態を形成する高温磁気相転移
- Probability of Atomic or Molecular Oxygen Species in Silicon Silicon Dioxide
- Diffusion of Molecular and Atomic Oxygen in Silicon Oxide
- Fabrication of Adenosine Triphosphate-Molecule Recognition Chip by Means of Bioluminous Enzyme Luciferase : Cross-Disciplinary Areas
- Novel Process for High-Density Buried Nanopyramid Array Fabrication by Means of Dopant Ion Implantation and Wet Etching
- Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-Terminated Si(111) Surface in Solution
- Nonscalability of Alpha-Particle-Induced Charge Collection Area
- Reverse-Mode Single Ion Beam Induced Charge (R-mode SIBIC) Imaging for the Test of Total Dose Effects in n-ch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
- {111} Facet Formation during Lateral Solid-Phase Epitaxy of Silicon
- Analysis of Interactions between Green Fluorescent Protein and Silicon Substrates Using Molecular Dynamics Simulations
- Large-Scale Atomistic Modeling of Thermally Grown SiO_2 on Si(111) Substrate
- Effects of Thermal History on Residual Order of Thermally Grown Silicon Dioxide
- Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
- 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
- Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
- Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
- High-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (STM) Observation of Metastable Structures on Quenched Si (111) Surfaces
- これからの産学協働のあり方
- シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
- 学際融合研究と人材育成
- ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
- 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
- ナノテクノロジーと化学
- ナノテクノロジーに日本再生を託そう
- 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
- Si結晶表面のナノスケール改質のためのシミュレーション--初期酸化およびイオン注入素過程の研究
- Influence of Secondary Electron Detection Efficiency on Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation
- これからの研究者の責任
- 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
- Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
- Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion lrradiation
- Improvement of Focused Ion-Beam Optics in Single-Ion Implantation for Higher Aiming Precision of One-by-One Doping of Impurity Atoms into Nano-Scale Semiconductor Devices : Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology
- Hihg-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO_2 Mask
- New Process for Si Nanopyramid Array(NPA)Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching
- Reduction of Fluctuation in Semiconductor Conductivity by One-by-One Ion Implantation of Dopant Atoms
- Single-Event Upset Test of Static Random Access Memory Using Single-Ion Microprobe
- Site Dependence of Soft Errors Induced by Single-Ion Hitting in 64 kbit Static Random Access Memory (SRAM)
- 27a-PS-26 InSb(001)-c(8×2)表面構造
- 31a-PS-4 HR-profile TEM法による表面再構成の評価II : InSb(110)-(1×1)表面
- 8p-B-8 HR-profileTEM法による表面再構成の評価I : InSb{111}A, B-(2×2)表面
- 5p-B-10 化合物半導体におけるホモエピタキシャル成長面の動的観察I:InSb(110)表面
- 13a-PS-2 Si(111)1x1-7x7表面構造相転移に及ぼす酸素の影響
- Si 表面酸素の除去
- 全金属製極高真空クライオポンプの動作特性
- 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
- 1a-RJ-10 蒸発-蒸着による固体表面の平滑化に関するMullinsモデルの数学的再検討
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
- 超高真空分野とクライオポンプ (クライオシステムと先端技術) -- (先端技術)
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
- 「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」特別推進研究(平成五年〜八年度)(科学研究費補助金)
- 大学における研究室運営の一例(大学における実験系の研究室の活動について)
- シングルイオン注入技術
- サイエンスとテクノロジーの協同のための一提案
- 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
- 711 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発(OS7-3 非破壊評価と構造モニタリング)
- ナノテクノロジーと化学(ヘッドライン:化学教育講習会-今日と明日を結ぶ化学)
- シングルイオン照射とその応用
- シミュレーションと洞察
- 界面の構造と欠陥
- 金属シリサイド-シリコン界面の微視的構造と電気的性質
- Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
- 構造ヘルスモニタリングのための５自由度層間変位センサの開発
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
- 9aSN-8 Au/InSb{111}A,B系における界面反応の動的過程(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 152 構造ヘルスモニタリングのための5自由度層間変位センサの分解能に関する検討