7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 久保田 弘

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 大泊 巌

  早大理工

• 住田 泰史

  熊本大学・工

• 久保田 弘

  熊本大学・工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• 長井 達也

  熊本大学・工

• 松川 貴

  早稲田大学・理工

• 岩合 三郎

  熊本大学・工

• 中畑 祐治

  熊本大学・工

• 大泊 巌

  早大

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早大・理工

関連論文

• 21pHW-1 フラーレンへの電子線照射によるグラフェン生成(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• A-11-5 オープンループ駆動における位置決め精度の高精度化(A-11.超音波,一般セッション)
• Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
• 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発:第4報
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第2報)
• SC-12-4 Development of Nano-Probing System for Metallization-Free Measurement
• C-11-5 Development of Reticle Free Exposure System
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発(第8報)
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第7報)非共振型超音波モータの微動特性
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第6報)積層型圧電アクチュエータの動特性
• 高速超精密ステージ用非共振型超音波モータの開発 : 予圧機構とステージ駆動性能(第5報)
• 非共振型超音波モータを用いたナノマニピュレータの性能評価
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発:第3報
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
• 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
• 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
• 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
• 高密度実装用三次元露光装置の開発(高密度SiP・3次元実装技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
• C-11-2 自発光デバイスによるレチクルフリー露光(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-12-68 触覚センサを用いた表面粗さ計測法(C-12.集積回路,一般セッション)
• レチクルフリー露光により感度揺らぎを抑えたピエゾ圧力センサの超高密度実装(高密度実装プロセス要素技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
• 無電解CoWPめっきによる銅貫通電極用拡散防止膜の形成(微細インタコネクション技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 2908 Luciferase-Si基板間相互作用の分子動力学シミュレーション(OS-29B,OS-29 生体高分子の動力学シミュレーション)
• 生体分子-半導体表面間相互作用の分子動力学シミュレーション(S24-1 バイオ・ナノ流動ダイナミクス(1),S24 バイオ・ナノ流動ダイナミクス)
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査(高精細画像の処理・表示,及び一般)
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査
• 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
• Effect of Deuterium Anneal on SiO_2/Si(100) Interface Traps and Electron Spin Resonance Signals of Ultrathin SiO_2 Films
• 高密度触覚センサのための高感度マイクロ圧力センサの開発
• 1Pb-47 非共振型超音波モータの周波数制御低摩耗駆動(ポスターセッション)
• High-Resolution Electron Microscope Study of Silicon on Insulator Structure Grown by Lateral Solid Phase Epitaxy
• Structural Study of PtSi/(111)Si Interface with High-Resolution Electron Microscopy
• 5a-T-3 酸素吸着モデルで考えたSi(111)7x7超構造のTED解析
• 28pSL-7 Cooper pairの熱的安定化による原子核の安定化
• 29a-B-2 超伝導相転移の前駆状態を形成する高温磁気相転移
• 24pF-17 C_フラーレン薄膜における窒素イオン注入効果
• 5p-B-3 窒化タンタルの選択結晶方位決定機構
• 7a-C-3 フラーレン薄膜における窒素イオン注入効果
• 6p-E-13 水素イオン注入α相MoO_3薄膜の電気特性
• 単結晶α-MoO_3薄膜への水素イオン注入効果
• C_薄膜の交流光伝導測定
• フラーレン複合多層膜形成による新機能性材料の開発
• Probability of Atomic or Molecular Oxygen Species in Silicon Silicon Dioxide
• Diffusion of Molecular and Atomic Oxygen in Silicon Oxide
• 27pXF-11 微細化K_MoO_3における電荷密度波電界緩和特性(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• C-11-3 グリッドパターン転写方式におけるMOSFETの省面積化設計(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
• Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-Terminated Si(111) Surface in Solution
• Nonscalability of Alpha-Particle-Induced Charge Collection Area
• Reverse-Mode Single Ion Beam Induced Charge (R-mode SIBIC) Imaging for the Test of Total Dose Effects in n-ch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
• {111} Facet Formation during Lateral Solid-Phase Epitaxy of Silicon
• Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
• 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
• 水素イオン注入による一次元導体K_MoO_3の電荷密度波の諸特性
• 30a-X-6 一次元伝導体における電荷密度波のイオンビームによる超薄膜化
• 28a-G-6 一次元導体K_MoO_3へのイオン照射によるCDWの新励起状態
• Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
• Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
• High-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (STM) Observation of Metastable Structures on Quenched Si (111) Surfaces
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査
• これからの産学協働のあり方
• シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
• 学際融合研究と人材育成
• ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
• 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
• ナノテクノロジーと化学
• ナノテクノロジーに日本再生を託そう
• 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
• Si結晶表面のナノスケール改質のためのシミュレーション--初期酸化およびイオン注入素過程の研究
• これからの研究者の責任
• 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
• Influence of Near-Surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
• Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion lrradiation
• Hihg-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO_2 Mask
• New Process for Si Nanopyramid Array(NPA)Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching
• Single-Event Upset Test of Static Random Access Memory Using Single-Ion Microprobe
• 全金属製極高真空クライオポンプの動作特性
• 28p-YA-8 「交流法とパルス法によるC_エピタキシャル薄膜の光伝導」
• シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
• 27pXA-10 蛍光分光分析を用いた微小量液体計測手法の開発(低次元物質・非線形光学・緩和励起子他,領域5,光物性)
• C-11-3 バーンインフリー及びプロセス温度評価のためのTEG(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 新結晶新物質 ナノスケールCDWの作製とその負性抵抗特性
• シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
• 「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」特別推進研究(平成五年〜八年度)(科学研究費補助金)
• 大学における研究室運営の一例(大学における実験系の研究室の活動について)
• シングルイオン注入技術
• 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
• 高濃度Ar+イオン注入による “新しい” ESR中心について
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓 (LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文特集)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク