28a-G-6 一次元導体K_<0.30>MoO_3へのイオン照射によるCDWの新励起状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 久保田 弘

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 久保田 弘

  熊本大工

• 宮川 隆二

  熊本大工

• 川村 浩和

  熊本大工

• 梶山 裕城

  熊本大工

• 住田 泰史

  熊本大工

関連論文

• 21pHW-1 フラーレンへの電子線照射によるグラフェン生成(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• A-11-5 オープンループ駆動における位置決め精度の高精度化(A-11.超音波,一般セッション)
• 2a-G-8 CDWの非線形誘電効果(II)
• 5p-M-3 CDWの非線形誘電効果
• 4a-F-10 非接触電極によるモリブデンブロンズの伝導測定
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発:第4報
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第2報)
• 31a-YE-7 酸化物超伝導体単結晶の熱拡散率と熱伝導度の異方性
• SC-12-4 Development of Nano-Probing System for Metallization-Free Measurement
• C-11-5 Development of Reticle Free Exposure System
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発(第8報)
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第7報)非共振型超音波モータの微動特性
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発 : (第6報)積層型圧電アクチュエータの動特性
• 高速超精密ステージ用非共振型超音波モータの開発 : 予圧機構とステージ駆動性能(第5報)
• 非共振型超音波モータを用いたナノマニピュレータの性能評価
• 非共振型超音波モータ駆動超精密ステージの開発:第3報
• 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
• 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
• 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
• 高密度実装用三次元露光装置の開発(高密度SiP・3次元実装技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
• C-11-2 自発光デバイスによるレチクルフリー露光(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-12-68 触覚センサを用いた表面粗さ計測法(C-12.集積回路,一般セッション)
• レチクルフリー露光により感度揺らぎを抑えたピエゾ圧力センサの超高密度実装(高密度実装プロセス要素技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
• 無電解CoWPめっきによる銅貫通電極用拡散防止膜の形成(微細インタコネクション技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
• 6a-S4-6 TTF-TCNQにおける誘電効果(II)
• 2a-J-13 TTF-TCNQの非線形伝導のブロッキング電極による測定
• 3a-NE-9 TTF-TCNQのパルス光伝導(III)
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査(高精細画像の処理・表示,及び一般)
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査
• 高密度触覚センサのための高感度マイクロ圧力センサの開発
• 1Pb-47 非共振型超音波モータの周波数制御低摩耗駆動(ポスターセッション)
• 5a-PS-3 真空焼成によるY-Ba-Cu-O超伝導体の生成(II)
• 4a-KD-7 TTF-TCNQの低温における非線形効果(II)
• 24pF-17 C_フラーレン薄膜における窒素イオン注入効果
• 5p-B-3 窒化タンタルの選択結晶方位決定機構
• 7a-C-3 フラーレン薄膜における窒素イオン注入効果
• 6p-E-13 水素イオン注入α相MoO_3薄膜の電気特性
• 単結晶α-MoO_3薄膜への水素イオン注入効果
• C_薄膜の交流光伝導測定
• フラーレン複合多層膜形成による新機能性材料の開発
• 27pXF-11 微細化K_MoO_3における電荷密度波電界緩和特性(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• C-11-3 グリッドパターン転写方式におけるMOSFETの省面積化設計(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
• 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
• 水素イオン注入による一次元導体K_MoO_3の電荷密度波の諸特性
• 30a-X-6 一次元伝導体における電荷密度波のイオンビームによる超薄膜化
• 28a-G-6 一次元導体K_MoO_3へのイオン照射によるCDWの新励起状態
• 高精細大画面用FPDの連続視野角画像を用いた検査
• 28p-YA-8 「交流法とパルス法によるC_エピタキシャル薄膜の光伝導」
• 27p-QA-8 TTF-TCNQにおける誘電損失の電界効果
• 27p-HF-1 TTF-TCNQの低温における高電界効果
• 27pXA-10 蛍光分光分析を用いた微小量液体計測手法の開発(低次元物質・非線形光学・緩和励起子他,領域5,光物性)
• C-11-3 バーンインフリー及びプロセス温度評価のためのTEG(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• Bi系高温超伝導体の熱拡散率
• 酸化物高温超伝導体のフォノン・熱拡散率
• 6p-Y-13 酸化物高温超伝導体の熱拡散率
• 30a-A-8 反応性蒸着法によるa-GaP:Hの光電導
• 30a-A-7 反応性蒸着法によるa-GaP:Hの発光
• 1a-S-9 擬1次元導体TTF-TCNQのパルス光伝導(II) : 負の磁気抵抗
• 4p-D-9 TTF-TCNQ のパルス光伝導 (I)
• 新結晶新物質 ナノスケールCDWの作製とその負性抵抗特性
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓 (LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文特集)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓(LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文)
• 次世代LSIプロセス・材料開発に生きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓
• 次世代LSIプロセス・材料開発に活きる超精密製造・計測技術開発 : 光技術と精密機械技術の協働による次世代原子スケール生産技術開拓

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク