シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
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概要
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ウェーハスケールでのナノ構造作製のためには, 表面の形状および汚染を原子レベルでコントロールする必要がある.我々はいくつかの金属を含む電解液から, ウェット処理によってよく規定されたSi(111)表面上への選択的な析出を観察した.銅が溶解している電解液に, シリコン表面をつけた場合, 銅はステップだけに析出し, ニッケルおよび鉄の場合, 析出物は観察されなかった.金属種による析出の有無には, 酸化還元電位によって説明することができる.また, 電解液中でのシリコンの電位を制御することによって, シリコン表面の特異な構造に敏感な析出を確認している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-25
著者
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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大泊 巌
早大理工
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
-
原 謙一
早稲田大学理工学部
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大泊 巌
早大
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大泊 巌
早稲田大学
-
大泊 巌
早大・理工
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