金属シリサイドの形成技術と評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 4. 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- 7a-E-9 イオンビームによる一次元化CDWダイナミクス
- これからの産学協働のあり方
- 学際融合研究と人材育成
- ナノテクノロジーの現状と課題(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
- ナノテクノロジーと化学
- ナノテクノロジーに日本再生を託そう
- 全金属製極高真空クライオポンプの動作特性
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェーハスケールテクノロジー
- 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発
- シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
- 「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」特別推進研究(平成五年〜八年度)(科学研究費補助金)
- 大学における研究室運営の一例(大学における実験系の研究室の活動について)
- シングルイオン注入技術
- 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
- 金属シリサイドの形成技術と評価
- 高濃度Ar+イオン注入による “新しい” ESR中心について
- 711 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発(OS7-3 非破壊評価と構造モニタリング)
- ナノテクノロジーと化学(ヘッドライン:化学教育講習会-今日と明日を結ぶ化学)
- シングルイオン照射とその応用
- シミュレーションと洞察
- 界面の構造と欠陥
- Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
- 構造ヘルスモニタリングのための５自由度層間変位センサの開発
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント