高濃度Ar<SUP>+</SUP>イオン注入による “新しい” ESR中心について
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概要
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ESR measurements have been used to monitor radiation damage in ion-implanted silicon. When the Ar implantation dose is more than about 10 times the critical one for amorphization, both an amorphous center with <I>g</I> = 2.0055 and another new ESR center with <I>g</I> = 2.0029 can be observed. An investigation of heavily argon implanted layers in silicon was characteristically carried out using ESR and ESCA, and was structurally studied using transmission electron microscopy. It is found that the new ESR center in heavily implanted layers is due to amorphous SiC.
- 日本真空協会の論文
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