イオンビームスパッタ法によるGaAs_<1-x>Pxエピタキシャル膜の作成とその特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティの論文
- 1992-08-25
著者
関連論文
- イオンビームスパッタ法によるGaAs_Pxエピタキシャル膜の作成とその特性
- 部分電離法によるSiエピタキシャル膜へのGa, Sbのドーピング効率
- 高濃度Ar+イオン注入による “新しい” ESR中心について
- 真空装置中の残留水分によるシリコンウェハのエッチング
- 半導体素子への真空の応用
- 真空蒸着法によるシリコンのエピタキシャル成長
- トランジスタ式直流定電圧装置
- 油中水型エマルションにおける含水率の自動測定装置