渡邉 孝信 | 早稲田大学工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学工学部の論文著者

関連著者

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 渡邉 孝信

  早稲田大学 理工学術院

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• 大泊 巌

  早大理工

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• 大泊 巌

  早大

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早大・理工

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 神岡 武文

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 神岡 武文

  早稲田大学 理工学術院

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 照沼 知英

  早稲田大学工学部

• 品田 賢宏

  早稲田大学工学部

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部

• 杉浦 裕樹

  早稲田大学理工学術院

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 清家 綾

  早稲田大学理工学術院

• 丹下 智之

  早稲田大学理工学術院

• 佐野 一拓

  早稲田大学理工学術院

• 土田 育新

  早稲田大学理工学術院

• 太田 洋道

  早稲田大学理工学術院

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 品田 賢宏

  早稲田大学

• 今井 裕也

  早稲田大学理工学術院

• 今井 裕也

  早稲田大学 理工学術院

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 山本 英明

  早稲田大学理工学術院

• 恩田 知弥

  早稲田大学理工学術院

• 登坂 亮

  早稲田大学理工学術院

• 辰村 光介

  早稲田大学理工学部

• 白石 賢二

  筑波大学 大学院 数理物質科学研究科

• 大泊 巖

  早稲田大学理工学部

• 鎌倉 良成

  大阪大学 工学部

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部:日本学術振興会

• 大毛利 健治

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 礒野 文哉

  早稲田大学理工学術院

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院:jst-crest

• 大毛利 健治

  筑波大学 大学院数理物質科学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学 大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学 大学院数理物質科学研究科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子工学科

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著作論文

• 分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング : SiO_2/Si界面との違い(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 分子動力学法によるシリコン酸化膜の大規模モデリング
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討
• 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント

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