谷口 研二 | 大阪大

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概要

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• 同名の論文著者
• 大阪大の論文著者

関連著者

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 谷口 研二

  大阪大学

• 井戸 徹

  大阪大学

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 大倉 鉄郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 大倉 鉄郎

  大阪大学

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科:crest-jst

• 大倉 俊介

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 兼本 大輔

  大阪大学

• 松岡 俊匡

  大阪大学大学院工学研究科

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 小野田 隆英

  大阪大学

• 桐原 正治

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 照沼 知英

  早稲田大学工学部

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 品田 賢宏

  早稲田大学工学部

• 酒井 敦

  大阪大学工学研究科

• 内田 雅也

  大阪大学大学院工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院工学研究科

• 酒井 敦

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 松岡 俊匡

  大阪大学

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院

• 大倉 俊介

  大阪大学工学研究科

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science

• 松岡 俊匡

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• 大泊 巌

  早大

• 今井 快多

  大阪大学

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早大・理工

• 品田 賢宏

  早稲田大学

• 内田 雅也

  大阪大学大学院 工学研究科

• 渡邉 孝信

  早稲田大学 理工学術院

• 三田 拓司

  大阪大学大学院 工学研究科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 新谷 悟

  アナログ デバイセズ

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 押方 理晃

  大阪大学

• 小田 浩太郎

  大阪大学

• 池田 智

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 葛岡 毅

  大阪大学大学院工学研究科

• 三原 理

  大阪大学大学院工学研究科

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学工学研究科附属高度人材育成センター

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 白川 二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 河崎 達夫

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター

• 池田 智

  大阪大学

• 兼本 大輔

  大阪大学大学院工学研究科

• 兼本 大輔

  大阪大学工学研究科

• 瀬恒 謙太郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 伊藤 良明

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 井戸 徹

  大阪大学大学院工学研究科

• 大山 聡一朗

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 有吉 勝彦

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 新谷 悟

  日本テキサス・インスツルメンツ

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科

• 大倉 鉄郎

  大阪大学工学研究科

• BOGODA A.

  大阪大学工学研究科

• Bogoda A.

  大阪大学

• 堀場 洋輔

  関西大学

• 池村 充史

  大阪大学

• 兼本 大輔

  九州大学大学院システム情報科学府

• 兼本 大輔

  九州大学

• 磯部 直己

  大阪大学

• 國方 直也

  大阪大学

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科:関西大学大学院工学研究科:(現)jvc・ケンウッド・ホールディングス(株)

• 磯部 直己

  大阪大学大学院工学研究科

• 太田 俊史

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 三原 理

  大阪大学大学院 工学研究科

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著作論文

• TDCを用いたオーディオ用ADコンバータの設計検討
• 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 非線形パルス幅変調を用いたTDC-ADCの構成と歪み補正手法の提案
• 二重フィードバックを用いスピーカインピーダンスの影響を低減したオーディオ用D級アンプの設計/評価
• 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi-p型電界効果トランジスタのホール伝導特性に関する理論計算
• C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
• Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• P-36 大阪大学における社会人専門教育プログラム : エレクトロニクス産業を支える高度専門技術者の育成((25)高度専門技術者教育、社会人のための大学院工学教育,ポスター発表論文)
• 同相除去比を強化した増幅器
• ダイナミックラッチを用いたパイプラインAD変換器用低消費電力コンパレータの一設計
• 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Column-Parallel ADC に用いる高精度, 小面積 D-Flip-Flop 回路
• 1.5bit量子化器を用いた Active-Passive 積分器による2次CT-DSMの構成法
• Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネル構成の変更可能なオーディオ用D級アンプの設計検討
• パイプライン方式逐次比較型A/Dコンバータにおける消費電力最適化の一手法
• 時間量子化方式ADコンバータにおけるディザの最適化
• 逐次比較型ADコンバータのマルチビット化の一手法
• poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング(シリコン関連材料の作製と評価)
• 入出力相互コンダクタンス及び位相補償容量を可変とする可変利得増幅器の低消費電力化に関する検討(電子回路)
• マージド・キャパシタ・スイッチング法を用いたパイプラインA-DコンバータのMDACセグメント内差動キャパシタミスマッチに関する解析

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