内田 雅也 | 大阪大学大学院工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
内田 雅也
大阪大学大学院工学研究科
-
三田 拓司
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
内田 雅也
大阪大学大学院 工学研究科
-
三田 拓司
大阪大学大学院 工学研究科
著作論文
- ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))