ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

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概要

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• k・p摂動法によるバンド計算をもとに, ひずみSi-pMOSFETにおけるチャネル移動度の向上度について, 特に1軸および2軸応力の場合の比較を中心に議論する.低ひずみ領域(<0.5%)では, チャネル方向〈110〉に1軸圧縮ひずみを印加することが, サブバンド間隔を広げることにつながり, 移動度を最も効果的に向上させると考えられる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-06-23

著者

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 内田 雅也

  大阪大学大学院工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 内田 雅也

  大阪大学大学院 工学研究科

• 三田 拓司

  大阪大学大学院 工学研究科

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