Asイオン注入に起因するSi結晶中でのAs過渡増速拡散とB再分布
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概要
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- 1999-06-10
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
斎藤 朋也
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
夏 建新
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
金 良守
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
青木 丈典
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
古田 善一
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
小林 弘幸
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
小林 弘幸
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
金 良守
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
小林 弘幸
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学 工学部
-
鎌倉 良成
大阪大学 大学院工学研究科
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