分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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極微細n-i-nダイオード中の電子輸送を分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法によりシミュレーションし,その電流一電圧特性を解析した.さらに得られた結果をバリスティック伝導モデルに基づくBulashenkoらの理論[Phys. Rev. B61, 5511(2000)]と比較した,シミュレーションによる電流値は理論予測を下回ることを示し,その原因をi層中の空間電荷によって形成されたポテンシャル障壁高さを手がかりに考察する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-21
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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