土屋 修 | 株式会社ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 茂庭 昌弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 加藤 章

  株式会社ルネサステクノロジ

• 田中 利広

  株式会社 日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• 加藤 正高

  株式会社 日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• 加藤 章

  株式会社 日立製作所半導体事業部メモリ本部

• 辻川 哲也

  株式会社 日立製作所デバイス開発センタ

• 土屋 修

  株式会社 日立製作所デバイス開発センタ

• 田中 利広

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 利広

  日立

• 辻川 哲也

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 加藤 正高

  (株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

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著作論文

• ファイル用途AND型フラッシュメモリのメモリ動作方式の検討
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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