鎌倉 良成 | 大阪大学工学部
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概要
関連著者
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鎌倉 良成
大阪大学工学部
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谷口 研二
大阪大学工学部
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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谷口 研二
大阪大
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Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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青木 丈典
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
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金 良守
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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青木 丈典
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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酒井 敦
株式会社ルネサステクノロジ
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領家 弘典
大阪大学工学部
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坂本 卓也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学専攻
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
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高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
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岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
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内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
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林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
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若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
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井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
-
酒井 敦
大阪大学工学研究科
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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中野 浩之
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学専攻
-
岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
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小林 弘幸
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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深谷 恭太
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学専攻
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宇都宮 裕人
大阪大学工学部
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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古田 善一
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
古田 善一
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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宮川 修一
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科量子デバイス工学講座
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白樫 淳一
電子技術総合研究所
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冨田 孝之
大阪大学工学部
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Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
著作論文
- MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
- シリコン中の{311}欠陥へのボロンの析出:第1原理計算に基づく検証
- 低温熱処理におけるボロンの初期異常拡散
- ボロンの過渡増速拡散とクラスタ形成の深さ依存性
- イオン注入損傷によるボロンの析出
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SPM超微細酸化法を用いた単一電子デバイスの作製
- ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム
- 赤外分光エリプソメトリを用いたキャリヤ濃度分布評価アルゴリズム
- 赤外分光エリプソメトリを用いたキャリヤ濃度分布評価アルゴリズム