低温熱処理におけるボロンの初期異常拡散
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概要
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超格子構造シリコン基板を用いたボロンの過渡増速拡散(TED)に関する実験を行い, 低温熱処理において, 注入ダメージよりも深い位置で熱処理の極初期にボロンの異常な増速拡散を初めて観測した. この現象はイオン注入のテイル部に存在する自由な格子間シリコン原子によって引き起こされていることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-25
著者
-
夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
青木 丈典
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
古田 善一
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
小林 弘幸
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
金 良守
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
青木 丈典
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
古田 善一
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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