SHE(Substrate Hot Electron)注入によるゲート酸化膜破壊
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概要
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6nmのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSFETを用いてシリコン基板に逆バイアスを印加し, 高エネルギー電子を基板からゲート電極側に注入するSHE(Substrate Hot Electron)注入法による, ゲート酸化膜破壊の実験を行った. 更に, F-N(Fowler-Nordheim)注入におけるQ_BD(破壊に至るまでの累積電荷密度)との違いから, 以下の点が明らかになった. シリコン基板側から注入された高エネルギー電子は, ゲート酸化膜中で価電子結合手を破壊し, それが数珠つなぎとなって基板とゲート電極が短絡して酸化膜の破壊に至る. これは従来報告されている陽極からの正孔注入, あるいは, 酸化膜の不均一性等のモデルとは異なる. 更にこの注入によるゲート酸化膜破壊は, 局所破壊であり, その破壊部の直径は10〜30nmであることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-02-25
著者
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