ボロンの過渡増速拡散とクラスタ形成の深さ依存性
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概要
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MOS素子の微細化により, 素子中の不純物分布をより正確に制御することが求められている. 特にイオン注入のダメージによるボロンの増速拡散やクラスタ形成が, 不純物分布の予測を困難にしている. 本研究では, ボロンマーカー6層の超格子Si基板にSiイオンを各種エネルギーで注入し, アニール後, SIMS分析でボロン原子の過渡増速拡散の様子を調べ, そのメカニズムの解明をおこなった. SIMS分析結果から、ボロンの過渡増速拡散はイオン注入条件やアニール温度に大きく依存し, 注入ダメージ領域よりも少し深い領域では, ボロンがクラスタ化していると共に, 炭素の偏析が確認された. また, その炭素の析出領域は, アニールの初期に決定されることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
青木 丈典
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
青木 丈典
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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