大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価
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概要
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大気圧プラズマ洗浄装置について、CMOS-ICのプラズマダメージを評価した。評価は、ゲート酸化膜厚を3nm〜100nmまで変えたMOS Trから構成されるTEGに大気圧プラズマを照射し、照射前後におけるMOS Trの特性変動を調べることにより実施した。その結果、ダメージの膜厚依存性、アンテナ比依存性について知見が得られたので、その報告を行う。
- 2001-05-18
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
澤田 康志
松下電工(株)制御技術開発研究所
-
高倉 信之
松下電工(株)半導体応用技術研究所
-
毛野 拓治
松下電工(株)半導体応用技術研究所
-
安田 正治
松下電工(株)半導体応用技術研究所
-
井上 吉民
松下電工M&V(株)
-
井上 吉民
松下電工m&v(株)
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