シリコン中の{311}欠陥へのボロンの析出:第1原理計算に基づく検証
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概要
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ボロン濃度一定シリコン基板にシリコンイオンを注入すると結晶欠陥が多量に発生する.この試料を低温で熱処理すると新たに形成された{311}欠陥領域にボロンが析出することを観測した.また, 第1原理計算により, {311}欠陥近傍の5員環と6員環中にボロンが安定に存在する場所があることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-25
著者
-
夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
小林 弘幸
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
金 良守
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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