酸化膜中に捕獲された正孔の緩和現象
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概要
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極薄い酸化膜厚のp型MOSトランジスターを用いて,基板への正孔注入実験を行い,酸化膜中での正孔の捕獲及び捕獲された正孔の緩和現象を調べた.酸化膜中での正孔の捕獲は,注入正孔密度が10^16>cm^-2>を超えたあたりで飽和する現象を観測した.注入後酸化膜中に捕獲された正孔が時間と共に緩和され減少し,その機構が酸化膜電界の符号によって異なることがわかった.酸化膜電界による緩和を詳しく説明し,熱処理について調べた結果を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
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