SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション
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概要
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SOI MOSFETは従来のMOSFETと比べて優れた特性を持っている.今後, 微細化が進む中でSOI構造中のSi層の厚さが薄くなってくると, 電子がSi層中に強く閉じ込められるようになり, 電子は伝導帯のバンド構造の非放物線性の影響を強く受けるようになると考えられる.そこで本研究ではそのようなエネルギーバンド構造の非放物線性を考慮するために, 擬ポテンシャル法を用いた波動方程式とポアソン方程式とによる自己無撞着計算を行い, 得られた電子状態から散乱確率を計算してモンテカルロ・シミュレーションを行った.そして, エネルギーバンド構造を有効質量を用いた単純な放物線で近似したモデルによる計算結果との比較を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-21
著者
-
森 伸也
阪大院工
-
浜口 智尋
大阪大学工学部
-
浜口 智尋
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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浜口 智尋
大阪大 工
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竹田 裕
大阪大学工学部
-
森 伸也
大阪大学工学部
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