イオン注入損傷によるボロンの析出
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概要
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ボロン濃度一定のシリコン基板に, シリコンイオンを注入して損傷を与えた試料における, 欠陥成長に起因するボロンの偏析をSIMS分析とXTEM観察により調べた. 3種類の転移ループ, the end-of-range dislocation loops, clamshell defects, subthreshold damageへのボロンの析出が確認され, アニール時間とともに析出量が増加し, 一定時間安定に存在した後, 消滅していく過程を観察した. アニール温度を低くすると, ボロンの析出成長速度は遅くなるが, 析出量は増加した. さらに{311}欠陥へのボロンの析出も確認されたが, それは転移ループの場合に比べて不安定であり, 820℃, 10分のアニールで完全に消滅することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
夏 建新
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
斎藤 朋也
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
青木 丈典
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
青木 丈典
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
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