ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム
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概要
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5〜10nmの酸化膜を有するMOSFETを用いて基板ホットキャリア注入法による酸化膜破壊実験をおこなった.高エネルギー電子を酸化膜に注入すると多数の電子捕獲中心が発生する.この電子捕獲中心が数珠つなぎになって酸化膜の両端にまで達すると酸化膜が破壊することを確認した.一方,高エネルギーの正孔を酸化膜に注入すると欠陥を伴った電流経路が発生する.この経路を通って流れる電子電流がある程度以上になるとジュール熱によって酸化膜が破壊にいたる.この2種類の測定結果より,FN注入による酸化膜の破壊は高エネルギー電子によって引き起こされていることが判明した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
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