SPM超微細酸化法を用いた単一電子デバイスの作製
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概要
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SPM超微細酸化法を用いてデバイスを作製する際の条件について詳細に検討し, 従来に比べ表面粗さを低減させるプロセスを新たに考案した.更に, Si基板上に堆積したTi極薄膜にサイドゲート型の単一電子トランジスタ(SET)を作製し, Ti系SETでは初めて明りょうなゲート電圧による電流振動を観測することに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-25
著者
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
金 良守
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科
-
松本 和彦
電子技術総合研究所
-
宮川 修一
大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科量子デバイス工学講座
-
白樫 淳一
電子技術総合研究所
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