ED2000-60 / SDM2000-60 単層カーボンナノチューブのナノエレクトロニクス素子への応用

概要

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単層カーボンナノチューブを用いたナノエレクトロニクス素子への応用について、観察、加工、電子放出についての3点について述べる。先端の尖ったシリコンのピラミッド形成へ化学触媒を塗布し、熱化学気相法によりシリコン先端より、単層カーボンナノチューブを成長させることができる。これを(1)原子間力顕微鏡のカンチレバーに用い、シリコン基板上に形成した金薄膜の観察を行い、分解能を向上させた手法について述べる。(2)単層カーボンナノチューブカンチレバーを陰極電極として用い、原子オーダー平坦アルミナ基板上のチタン薄膜を局所的に陽極酸化することにより5〜6nmの酸化細線が形成できる。これをトンネル接合として用いた単一電子トランジスタの室温動作について述べる。(3)10000本のピラミッド状シリコン先端から成長させた単層カーボンナノチューブを、電界電子放出源として用いると、従来の10〜50分の1のわずか10Vで電子放出が可能になる。この手法は将来の携帯用フラットパネルディスプレーに有望である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-06-21