位置制御成長カーボンナノチューブへの欠陥誘起による電気特性変化
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概要
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触媒パターニング法により位置制御成長したカーボンナノチューブに、化学処理により欠陥を誘起し電気伝導特性を測定した。室温で単一電子トランジスタ特性が得られた。また、ゲート電圧が負の領域ではクーロンブロッケイド効果がほとんど現れず、ゲート電圧が正の領域では明瞭なクーロンブロッケイド効果が現れた。これは、p型半導体的カーボンナノチューブ特性と単一電子トランジスタ特性の重ね合わせの特性であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-04
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