位置制御成長カーボンナノチューブによる室温クーロンブロッケイド特性
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概要
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位置制御成長したカーボンナノチューブの電気特性を測定し, 室温でクーロンブロッケイド特性を観測することに成功した。カーボンナノチューブの位置制御に, 触媒パターン法を提案した。SiO_2基板上でカーボンナノチューブの成長確率が高かった触媒はFe/Mo/Siであった。この方法により形成したカーボンナノチューブ三端子素子では, 全容量が4.0×10^<19>Fと見積もることができた。また特性の再現性も確認できた。トンネル障壁の形成機構については未解明であり, 今後さらなる研究が必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
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