AFM 微細加工法による室温動作単一電子素子
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概要
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STMやAFMの探針を極微小な陰極として用い, 原子オーダーで平坦なアルミナ基板上に形成シタチタン金属薄膜の表面を大気中の水分を介して陽極酸化させると, 微細な酸化細線が作成できる. これをトンネル接合として用いる平面構造の単一電子デバイス, すなわち単一電子トランジスタや単一電子メモリでは室温動作が可能となる. 単一電子トランジスタでは室温でクーロンギャップやクーロン振動が観察された. また単一電子メモリでは室温で10〜20個前後の電子が蓄積されるヒステリシス特性が得られた.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-05
著者
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松本 和彦
産業技術総合研究所
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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松本 和彦
産業技術総合研
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後藤 芳孝
産業技術総合研究所
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後藤 芳孝
電子技術総合研究所電子デバイス部
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前田 辰郎
電子技術総合研究所電子デバイス部
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