STMを用いた電子デバイス(HEMT)作製プロセス
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概要
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走査型トンネル顕微鏡(STM)を電子デバイス作製プロセスに応用し、高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。STMの探針に金を用い、探針・基板間に直流トンネルバイアスに重畳してパルスバイアスを印加することにより、探針から金の原子群を放射し基板上に金の細線を形成した。本方法により形成した金のラインを用いてゲート電極を形成し、HEMTを作製した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-18
著者
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