薄膜光吸収層を持つ微細光導電スイッチの試作
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概要
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分子線エピタキシャル成長法(MBE)で半絶縁性(SI)-GaAs基板上に光透過層としてAl_<0.5>Ga_<0.5>As(1μm)、その上に光吸収層としてノンドープGaAs(2μm)を薄膜成長し、走査プローブ加工法により、光導電スイッチを作製した。走査プローブ加工法を使用するためにあたって、MBEにより成長を行った基板にTiを4nm蒸着させ、走査型プローブ顕微鏡を使った陽極酸化反応により、200nm幅の酸化Ti細線を光導電スイッチの受光窓として形成した。本稿ではこれまでのSI-GaAs基板を用いた光導電スイッチと、光吸収層薄膜の場合との比較検討をおこなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-21
著者
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
菅谷 武芳
電総研
-
米井 健治
芝浦工大
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所
-
米井 健治
芝浦工業大学
-
田沼 保彦
芝浦工業大学
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
松本 和彦
電子技術総合研究所
-
吉川 英樹
芝浦工業大学大学
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所
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