EOサンプリング法によるフェムト秒電気パルス測定における電界クロストーク
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概要
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衝突モード同期色素レーザによる反射型EOサンプリング法により、半絶縁性GaAs基板上に作製されたco-planar型ストリップライン上を伝搬するフェムト秒電気信号を測定した。EOプローブ結晶としてLiNbO_3,LiTaO_3を用いた場合、立ち合がりがピコ秒以下の急峻な電気パルスにおいて、電気光学テンソルのr_22>成分に起因する電界クロストークが顕著になりアンダーシュート等の波形変化が現れる。今回我々は、結晶方向を変えることにより2方向の電界成分を評価し電界クロストークの影響を評価するとともに、電気パルスの伝搬速度を求めた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
太田 公廣
電子技術総合研究所
-
鹿野 文久
小山工業高等専門学校
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所
-
太田 公広
電子技術総合研究所
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