III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
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概要
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通常のMBEにおいてAs_2フラックスと原子状水素照射を利用することにより、InP-V溝段差基板上のInGaAs/InAlAs量子細線構造の作製に成功した。通常のAs_4フラックスではInAlAsバリア層の成長後にV溝を保持できないことから量子細線の形成は困難であるが、As_2フラックスでは成長中のIn原子のV溝側面から底への拡散を抑制するため、V溝は保持される。成長中に原子状水素を照射して作製した量子細線構造は、狭いPLピークと均一なCL像を示した。これらの現象は、原子状水素の照射によって(311)A側面においてIII族原子の再蒸発が起こり、光学的特性に優れた量子細線が作製されたためと思われる。これらの効果を用いて試作した量子細線FETは良好なトランジスタ特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
菅谷 武芳
電総研
-
杉山 佳延
電総研
-
米井 健治
芝浦工大
-
杉山 佳延
電子技術総合研究所
-
関口 隆史
物材研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
米井 健治
芝浦工業大学
-
田沼 保彦
芝浦工業大学
-
関口 隆史
東北大学
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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