01aA13 Ga_2O_3の熱炭素還元窒化による高温でのGaN結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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GaN crystals were grown at 1200℃ by vapor phase reaction of NH_3 and Ga_2O, produced by carbothermal reduction of Ga_2O_3 powder. In 2h growth, the slow Ga_2O flow rate (7-14 μmol/min^<-1>) gave millimeter-sized hexagonal prism wurtzite-type GaN crystals, while the high rate (21 μmol/min^<-1>) formed the needle crystals.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
嶋田 志郎
北大院工
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
関口 隆史
物材研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
東北大・金研
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
関口 隆史
Nims
-
三浦 章
北大院工
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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