電子線誘起電流法(EBIC)を使ったシリコン系機能材料の特性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-07-31
著者
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
関口 隆史
物材研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
東北大・金研
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
関口 隆史
Nims
-
陳 君
物質・材料研究機構
-
袁 暁利
物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
関連論文
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(6)の企画にあたって
- K-Ga融液を用いた立方晶窒化ガリウムの作製
- 29p-P-6 電子ビーム励起による半導体の欠陥評価 : CL, EBIC, SDLTS
- カーボンナノチューブのプラズマ CVD 合成のおける硫化水素の添加効果
- 第2回ナノスケール分光法とナノテクノロジーへの応用 : 国際ワークショップ報告
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- フラックス法によるZnS結晶の育成と評価(機能性結晶IV)
- 水熱成長させた酸化亜鉛結晶の不純物添加効果 : 溶液成長I
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 26a-P-9 KOHフラックスによるZnO単結晶の育成と光学特性
- 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価 ([日本電子材料技術協会]第42回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 電子線誘起電流法(EBIC)による多結晶シリコンの粒界電気活性度の観察
- カソードルミネッセンス法
- カソ-ドルミネッセンス顕微法(III)応用
- カソードルミネッセンス顕微法 (II) 装置, 応用 (1)
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成
- カソードルミネッセンス(CL)法
- カソードルミネッセンスによる半導体材料の電子構造の検討
- 電子ビ-ムによる半導体の微小領域の欠陥評価-CL/EBIC/SDITS-
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- カソードルミネッセンスと近接場顕微鏡の比較
- 30p-ZN-7 電子線誘起電流法を用いたSi中のらせん及び60°転位の電子状態の研究
- 24a-T-10 電子線誘起電流法を用いたシリコン中の転位の研究
- 3C15 アルカリ金属フラックスを用いた立方晶窒化ガリウム単結晶の作製
- 電子線誘起電流法(EBIC)を使ったシリコン系機能材料の特性評価
- 電子線誘起電流(EBIC)法を用いた多結晶シリコンにおける粒界の電気的活性度評価
- 直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
- 1a-C-8 C_結晶のシェルの生成と構造
- 金属・半導体の過冷凝固に伴う発光の研究
- 組成・温度・圧力誘起構造変化と物性に関する研究
- パルス電子ビ-ムによる物性評価 (材料性能評価のためのパルス計測技術(技術ノ-ト))
- 01aA13 Ga_2O_3の熱炭素還元窒化による高温でのGaN結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 2a-PS-5 Fe_3Al合金の相分離と磁気異方性
- 4a-M-12 電子顕微鏡によるFe_3Al合金の相分離と磁区構造の研究
- 12p-PS-6 Co-Fe合金における磁壁の微細構造
- 29p-Q-9 Fe_3Al_Si_x合金の結晶構造と磁性
- 29a-SB-23 Co(0001)面における磁区構造
- 31p-M-12 1000kV電子顕微鏡による磁区構造の動的観察
- 1p-Pβ-1 ローレンツ電子顕微鏡法による六方晶Co及びCo-Fe合金の磁区構造の温度変化の研究
- 2p-NGH-23 ローレンツ電子顕微鏡法による六方晶Co磁区構造の温度変化の研究
- カソードルミネッセンスによる半導体ナノ構造の観察
- カソードルミネッセンスの原理 (日本顕微鏡学会第48回シンポジウム 材料科学と生命科学のクロストーク--顕微解析の最前線) -- (共通セッション カソードルミネッセンスの材料学・生物学応用)
- 水熱育成ZnO単結晶の結晶形態と食像観察
- SEM-CL顕微法による半導体中の微細構造評価
- 水熱法によるZnO単結晶の成長と特性評価(バイオクリスタルにおける核形成・成長の制御機構)
- 25pZ-1 水熱法で成長した酸化亜鉛単結晶の光学特性
- 22pB11 水熱成長させたZnO結晶の光学特性(気相成長IV)
- 水熱合成装置の試作とそれを用いた半導体単結晶ZnOの作製
- カソードルミネッセンス顕微法(I)原理
- InGaAs系受光素子の不良解析 (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (ワ-クショップ カソ-ドルミネッセンスを使った機能評価法の発展)
- 4a-M-11 位相差電子顕微鏡(DPC-STEM)による磁区の観察
- 磁区観察
- ロ-レンツ電子顕微鏡による磁気バブルの観察
- 熱電界放射型電子銃を使った弱励起カソードルミネッセンス装置の開発と半導体ナノ構造への応用
- カソードルミネッセンス観察装置用冷却系及び分光器ステージの試作
- 31a-E-6 SiGe混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル
- 3p-M-5 Si-Ge混晶中の深い不純物レベル
- 29a-RC-11 GaAs中の転位と非発光中心の相互作用 : カソールドルミネッセンスによる研究
- 進歩総説 カソードルミネセンス分析
- カソードルミネセンス分析
- 26pPSA-49 磁性イオンをドープしたZnSおよびPbSナノ結晶の作成と物性(26pPSA,領域5(光物性分野))