InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
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概要
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分子線エピタキシー(MBE)法においてAs_2フラックスを用いることにより、InP(311)A段差基板上へのトレンチ型InGaAs量子細線の作製に初めて成功した。トレンチ型InGaAs量子細線は、22°の角度をなす(111)Aと(331)Bのファセットから成り、その断面サイズは10nm×20nmであった。また、成長中に原子状水素を照射して作製した量子細線構造は、照射しなかったものに比べ半値幅の狭いフォトルミネッセンスピークを有し、また低温での成長が可能であることがわかった。これらの効果を用いて試作した量子細線FETは良好なトランジスタ特性を示し、特に低温時には顕著な負性抵抗も示した。負性抵抗の生じるonset voltageは0.12Vであり、従来報告されている負性抵抗デバイスより優れた特性を持つ。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
清水 俊行
芝浦工業大学
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
菅谷 武芳
電総研
-
杉山 佳延
電総研
-
米井 健治
芝浦工大
-
杉山 佳延
電子技術総合研究所
-
関口 隆史
物材研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
東北大・金研
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
松本 和幸
芝浦工業大学
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所
-
張 起連
科学技術振興事業団
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
米井 健治
芝浦工業大学
-
菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
張 起連
科学技術振興事業団:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
-
松本 和幸
芝浦工業大学:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
関口 隆史
Nims
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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