走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
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概要
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走査プロープ加工法により、43nmギャップの光導電スイッチを試作した。GaAs基板上に蒸着された4nm厚のチタン薄膜を、走査プロープにより陽極酸化することにより、43nmギャップの酸化チタンからなる受光部を形成した。酸化チタンは、可視光に対して透明であるだけでなく電極間の絶縁をも行う。光導電スイッチのインパルス応答を電気光学サンプリング法により評価したところ、出力パルス幅772fs(横方向電界成分)の結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-16
著者
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
杉山 佳延
電総研
-
杉山 佳延
電子技術総合研究所
-
打木 久雄
長岡技術科学大学
-
小滝 裕一
長岡技術科学大学
-
松本 和彦
電子技術総合研究所
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所
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