Sn添加CaAl_2S_4の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CaAl_2S_4は4.8eVのバンドギャップを持つため、紫外-可視域用光学母体材料として有望な物質である。CaAl_2S_4に希土類の添加物を入れた報告はあるが、それ以外の添加物を入れた報告例は少ない。一方、同じ結晶構造のCaGa_2S_4では、Tl^+型中心を形成するSnを添加することで、紫外光励起により波長750nmにピークを持つ幅広い発光スペクトルを示すことが報告されている。そこで、CaAl_2S_4: Snを作製し、CaGa_2S_4: Snよりも短波長側にブロードな発光スペクトルが得られるか調査した。その結果、CaGa_2S_4: Snと比較してCaAl_2S_4: Snは、波長580nmにピークを持つブロードなPLスペクトルを示し、170nm短波長側にシフトしていることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
関連論文
- Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
- PLD法によるEuGa_2S_4薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- Sn添加CaAl_2S_4の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- PCD法によるCu_2ZnSnS_4を用いたの3Dセル構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- ゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- a-C:H膜における光照射効果のXPSによる評価
- 非真空プロセスによるCuZnSnS薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善 (電子部品・材料)
- 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 非真空プロセスによるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu_2ZnSnS_4を用いた三次元構造太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)