RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• RFプラズマCVD法を用いて、プロパンとナフタレンを原料モノマーとして、単体膜(naph膜とprop膜)と混合膜(naph-prop膜)を作製した。プロパンを輸送ガスとし、40℃〜120℃のナフタレンの温度で混合膜を作製した。120℃の膜以外の全膜の光学吸収端は3.5〜3.8eVであった。PL測定では、全サンプルは可視域の幅広い発光を示した。赤外吸収スペクトルでは、芳香族C-H面外変角振動、芳香族C-H伸縮振動と芳香族C=C伸縮振動がnaph膜とnaph-prop膜の中に含まれていることを確認した。また、脂肪族C-H_n伸縮振動が全サンプルに含まれていることも確認した。今回作製したnaph-prop膜の導電率は10^<-9>〜10^<-7>S/cmとなり、単体膜(naph膜とprop膜)と比べてきわめて大きい値になった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-11-09

著者

• 田中 久仁彦

  長岡技術科学大学

• 打木 久雄

  長岡技術科学大学

• 打木 久雄

  長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻

• 田中 久仁彦

  長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻

• イブラヒム テンクー

  長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻

関連論文

• Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• 走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
• PLD法によるEuGa_2S_4薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• Sn添加CaAl_2S_4の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• PCD法によるCu_2ZnSnS_4を用いたの3Dセル構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• ゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• a-C:H膜における光照射効果のXPSによる評価
• 非真空プロセスによるCuZnSnS薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善 (電子部品・材料)
• 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 非真空プロセスによるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu_2ZnSnS_4を用いた三次元構造太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク