Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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ゾル-ゲル・硫化法によって作製したCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜と垂直ブリッジマン法により作製したCZTSバルク単結晶からの発光スペクトルの励起光強度依存性と温度依存性を観測した。薄膜とバルク単結晶からの発光はブロードで、発光域はそれぞれ1.1から1.4eVと1.1から1.45eVであった。励起強度が増加するにつれて、発光のピークが高エネルギー側にシフトしており、このことから発光の起源はドナー・アクセプタ対再結合発光であるとわかった。また、活性化エネルギーを調べるために温度依存性を測定したところ、薄膜の活性化エネルギーは39meVで、結晶では37meVであった。薄膜において透過率の温度依存性を測定したところ、22Kから300Kの間で、バンドギャップのシフト量は10meVより少ないと観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
宮本 裕介
長岡技術科学大学
-
田中 久仁彦
長岡技術科学大学
-
大貫 雅俊
長岡技術科学大学
-
森竹 典子
長岡技術科学大学
-
打木 久雄
長岡技術科学大学
-
打木 久雄
長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻
-
田中 久仁彦
長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻
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